허프포스트코리아

삼성전자가 기존 HBM보다 8배 높은 성능의 차세대 메모리를 공개했다.

기존의 HBM만으로는 고성능 컴퓨팅과 인공지능 인프라 확산과 함께 증가하는 메모리 수요에 대응할 수 없다. AI 가속기 옆에 HBM을 배치하는 방식에서 한 단계 더 나아가 상단에 수직으로 적층하는 방식으로 대역폭과 전력효율을 높였다.

삼성전자 HBM5보다 성능 8배 높은 차세대 메모리 zHBM 공개했다 : 고객 맞춤형 설계 가능한 3D 메모리 설루션 — 삼성전자가 8월4~6일 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 'FMS 2026'에 참가해 차세대 메모리 아키텍처를 공개했다. ⓒ 삼성전자

삼성전자가 8월4~6일(현지시각) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 'FMS 2026'에 참가해 차세대 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O의 모형을 업계 최초로 공개했다고 8월5일 밝혔다.

zHBM은 HBM의 한계를 극복하기 위한 대안으로 제시됐다.

고성능컴퓨팅(HPC)과 인공지능(AI) 인프라가 확산되며 기존 HBM만으로는 고용량·고대역폭 메모리에 대한 요구 수준을 충족하는 데 한계가 있다.

zHBM은 AI 가속기 옆에 HBM을 배치하는 방식에서 한 단계 더 나아가 AI 가속기 상단에 HBM을 수직으로 적층하는 차세대 아키텍처다.

AI 가속기와 메모리 사이 데이터 이동 거리를 최소화함으로써 대역폭과 전력효율을 높이고 대규모 AI 모델의 학습과 추론에 필요한 초고속 데이터 처리를 지원한다.

zHBM이 적용된 차세대 인터페이스 시스템은 HBM5보다 최대 8배 높은 성능을 제공한다.

또 짧아진 데이터 이동거리가 HBM5보다 전력 효율을 최대 3배 향상시키고 열 저항을 절반 이상 낮췄다.

특히 zHBM은 고객 맞춤형 설계가 가능한 메모리 솔루션으로 메모리와 AI 가속기 사이에 위치한 인터레이어에 맞춤형 설계 블록을 추가해 메모리 용량 확장, 가속기 성능 강화 등 제품 특성을 최적화할 수 있다.

삼성전자는 zHBM뿐 아니라 낸드에서도 새로운 비전을 제시했다.

z낸드-O는 삼성전자가 개발하고 있는 차세대 고성능 낸드 플래시 솔루션으로 기존 V낸드의 수직 적층 기술을 활용하고 TSV 기술을 결합해 4단 또는 8단 반도체 칩을 3D 패키징한 제품이다.

제품명 끝의 '-O'는 온디바이스 AI 환경에 최적화됐다는 것을 의미한다. 높은 공간 효율성과 데이터 로딩 대역폭, 빠른 응답 속도를 바탕으로 실시간 대규모 데이터 처리가 요구되는 환경에서 높은 성능을 지원한다.

또 삼성전자는 업계 최초로 수직 적층 400단 이상의 10세대 V낸드인 'V10 BV낸드'를 공개하기도 했다.

두 장 이상의 웨이퍼를 수직으로 접합하는 '웨이퍼 본딩' 기술과 V낸드 셀을 3개의 층으로 나눠 각각 제조하고 수직으로 연결하는 '3 스택' 기술을 적용해 직전 제품(V9)보다 메모리 집적도를 58% 올렸다.

삼성전자는 "FMS 2026에서 차세대 AI 인프라 혁신을 위한 메모리·스토리지 기술 전략과 로드맵을 제시했다"며 "앞으로도 차세대 메모리 기술 혁신과 메모리, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 차별화된 설루션을 통해 AI시대의 반도체 기술 리더십을 지속 강화해 나가겠다"고 말했다.