허프포스트코리아

SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리인 'HBM4E'를 선보이며 기술력을 입증하고 AI 기술 혁신을 이어갈 강력한 기반을 마련했다.

SK하이닉스가 차세대 AI용 D램 'HBM4E'를 개발했다 : 12단 적층구조에 최대 16Gbps 처리 속도 구현 — SK하이닉스가 HBM4E 12단 샘플을 출하했다 ⓒ SK하이닉스

SK하이닉스는 차세대 AI용 D램 신제품인 'HBM4E' 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 18일 밝혔다.

HBM4E는 이전 세대인 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 모두 한 단계 끌어올렸다. 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현하고 에너지 효율을 20% 이상 개선해 데이터 처리 성능을 대폭 높였다.

또한 HBM4E는 최신 인터페이스와 설계 최적화로 데이터 전송 지연을 줄이고 고대역폭 환경에서도 안정적 동작을 구현했다.

SK하이닉스는 HBM4E에 '어드밴스드 MR-MUF' 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현하는 동시에 구조 안정성을 높였다.

MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정을 말한다. 여기에 얇은 칩을 휘어짐 없이 적층하는 칩 제어 기술을 적용한 것이 어드밴스드 MR-MUF다.

특히 SK하이닉스는 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮춰 고성능 컴퓨팅 환경에서도 메모리가 안정적으로 동작하도록 했다. AI 반도체 성능이 높아질수록 발열 관리가 중요해지는 만큼, 열 안정성 개선은 제품 경쟁력을 좌우하는 요소로 평가된다.

SK하이닉스는 고객이 당면한 과제를 함께 고민하고 해결하며 고객이 원하는 수준 이상의 가치를 제공하는 '풀 스택 AI 메모리 크리에이터'로 거듭나고 있다. HBM3, HBM3E, HBM4로 이어지는 양산·공급을 통해 고객 요구에 최적화된 메모리 솔루션을 제공해 왔다. 이번 HBM4E를 통해서도 AI 시스템의 병목 현상을 고객과 함께 해소하며 차세대 AI 인프라 구현을 선제적으로 지원한다는 계획을 세웠다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 "그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가 AI 혁신을 지속적으로 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다"고 말했다.