“기술 우위와 수익성 중심 경영 기조를 유지하면서도 미래를 위한 준비에는 보다 과감한 투자와 노력을 이어가야 한다.”

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 역대급 성과를 냈던 지난해에 이어 올해도 성장세를 이어가겠다는 목표로 올해 신년사에서 첫 번째로 내세웠던 목표다.

곽 사장은 올해 최우선 목표로 강조했던 ‘기술’과 ‘투자’를 발 빠르게 실행에 옮기고 있다.

곽 사장은 새로운 메모리 계층인 고대역폭플래시(HBF, High Bandwidth Flash) 개발에 속도를 내는 한편 용인 반도체클러스터에는 무려 21조 원이 넘는 추가 투자를 결정하면서 인공지능(AI) 시대를 선도하겠다는 구상에 다가서려는 모양새다.

SK하이닉스는 25일(현지시각) 샌디스크와 미국 캘리포니아주 샌디스크 본사에서 ‘HBF 스펙 표준화 컨소시엄 킥오프’ 행사를 열고 AI 추론 시대를 겨냥한 차세대 메모리솔루션 HBF 글로벌 표준화 전략을 발표했다.

HBF는 초고속 메모리인 고대역폭메모리(HBM)와 대용량 저장장치인 솔리드스테이트드라이브(SSD) 사이에 위치하는 새로운 메모리 계층이다. HBM의 뛰어난 성능과 SSD의 대용량 특성 사이의 공백을 메우며 추론 영역에서 요구되는 용량 확장과 전력 효율성을 동시에 확보할 수 있다. HBM이 최고 수준의 대역폭을 담당하는 가운데 HBF가 이를 보완하는 구조다.

최근 AI 산업은 거대언어모델(LLM)을 구축하는 학습 단계에서 실제 서비스를 제공하는 추론 단계로 무게중심이 빠르게 이동하고 있다. 이 과정에서 기존 메모리 구조만으로는 대용량 데이터 처리와 전력 효율성을 동시에 충족하기 어려운 데 이런 한계를 해결할 수 있는 대안으로 등장한 것이 HBF다.

SK하이닉스는 샌드시크와 함께 HBF를 업계 표준으로 마련해 AI 생태계 전체가 동반 성장할 수 있는 기반을 구축하겠다는 목표를 세우고 있다. 이를 위해 세계 최대 개방형 데이터센터 기술협력체인 오픈컴퓨트프로젝트(OCP) 산하에 핵심과제 전담조직을 샌디스크와 공동으로 구성해 본격적 표준화 작업에 착수한다.

SK하이닉스와 샌디스크는 HBM과 낸드 분야에서 쌓은 설계·패키징 기술과 대량 양산 경험을 바탕으로 HBF의 빠른 표준화, 제품화를 선제적으로 추진한다는 계획을 세웠다.

전날 SK하이닉스는 용인 반도체클러스터 1기 팹(fab)에 관한 신규 시설투자비 21조6천억 원을 2030년 12월 말까지 집행하기로도 결정했다.

이에 따라 1기 팹 건설에 투입되는 전체 금액은 2024년 7월 발표한 시설투자비 9조4천억 원을 포함해 모두 31조 원에 이르게 된다.

SK하이닉스는 빠르게 증가하는 글로벌 고객 수요에 선제적으로 대응하고 안정적 공급 체계를 강화하기 위해 21조 원이 넘는 추가 투자 결정을 내렸다.

SK하이닉스가 대규모 추가 투자를 단행하기로 한 배경으로는 규제 완화가 꼽힌다. 국가첨단전략산업법에 따르면 전략기술 보유기업이 입주한 산업단지 용적률은 법적 상한의 1.4배 까지 완화됐다. 이에 SK하이닉스의 용인 반도체클러스터 예상 투자 규모도 기존과 비교해 대폭 상향될 것으로 예상된다.

SK하이닉스는 “본격적 AI 시대 개막과 함께 첨단 반도체에 관한 수요가 빠르게 확대되고 있는 글로벌 시장에서 대규모 생산능력 확보와 안정적 공급체계 구축은 무엇보다 중요한 요소”라며 “용인 반도체클러스터는 단계별 투자를 통해 대한민국 반도체 산업의 미래 경쟁력을 좌우할 전략 거점으로 자리매김할 것”이라고 설명했다.