SK하이닉스가 용인과 청주에 각각 D램, 낸드플래시 신규 팹(Fab) 건설에 나선다. 이번 투자에는 모두 54조 원이 투입된다.
SK하이닉스는 매년 20% 가까이 성장할 것으로 예상되는 메모리반도체 수요에 적극적으로 대응해 인공지능(AI) 인프라 시장에서 핵심 플레이어로 자리 잡겠다는 목표를 세웠다.
경기 용인시 처인구 원삼면 일대 조성되는 SK하이닉스의 '용인 반도체 클러스터' 조감도. ⓒSK하이닉스
SK하이닉스는 8월7일 이사회를 열고 용인 ‘Y2’와 청주 ‘M17’ 팹 건설에 각각 35조2천억 원, 19조1천억 원 등 모두 54조3천억 원을 투자하기로 결의했다고 밝혔다.
이번 결정은 6월 발표한 중장기 투자 전략을 단계적으로 이행하는 과정의 하나다. SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터에 600조 원, 청주 생산기지 확대에 100조 원을 투입한다는 계획 아래 현재 용인에 1기 팹(Y1)를 건설하고 있다.
SK하이닉스는 “AI 시대에는 기술 경쟁력 만으로는 충분하지 않으며 고객이 필요로 하는 시점에 필요한 물량을 공급할 수 있는 능력이 필수”라며 “면밀한 수요 검토를 거쳐 이번 투자를 결정했다”고 설명했다.
시장조사기관 옴디아에 따르면 D램과 낸드 수요는 2025년부터 2030년까지 두 시장 모두 연평균 성장률 19%를 유지할 것으로 전망된다.
먼저 용인 Y2는 SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터에 순자적으로 조성하는 모두 4기의 팹 가운데 2번째로 연면적 34만1천 평 규모의 D램 생산 거점으로 구축된다.
용인 Y2는 2027년 7월 착공해 2029년 6월 1번째 클린룸을 개소하는 일정으로 구축된다. SK하이닉스는 용인 Y2에서 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을 생산한다.
이번 투자금액에는 Y2에서 근무할 구성원의 업무·복지시설을 갖춘 지원동, 개발 제품의 실험·테스트와 분석을 통합하는 연구개발통합센터, 부대시설 등의 건설 비용이 포함됐다.
청주 M17은 SK하이닉스가 새로운 낸드 생산 거점 확대에 속도를 내는 것이다.
SK하이닉스는 청주캠퍼스에 낸드를 생산하는 M11, M12, M15을 보유하고 있다. 신규 팹은 기존 시설과 연계해 효율적 생산이 가능하고 부지와 상당 부분 갖춰져 있는 부지와 전력·용수를 활용할 수 있다는 장점이 있다.
SK하이닉스는 청주 M17를 연면적 20만6천 평 규모로 건설하며 2027년 2월 착공해 2028년 12월 1번째 클린룸을 연다는 계획을 세웠다.
SK하이닉스는 이번 투자가 미래 성장기반을 확보하는 동시에 국내 반도체 생태계 경쟁력 제고와 지역경제 활성화로 이어질 것으로 기대하고 있다.
SK하이닉스 관계자는 “이번 투자는 시장의 성장속도에 맞춰 그 기회를 놓치지 않기 위한 결정”이라며 “선제적 생산기반 확보를 통해 글로벌 반도체 공급망 안정에 기여하는 ‘AI 인프라의 핵심 파트너’로 자리매김하겠다”고 말했다.