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삼성전자가 평택 공장에 신규 D램 라인을 설치해 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 생산능력을 확보하는 데 나선다. AI발 메모리 슈퍼사이클이 도래한 상황에서, 엔비디아 등 빅테크 기업의 수요를 맞추겠다는 움직임으로 해석된다.

삼성전자가 내년 1분기까지 평택캠퍼스 P4에 10노6세대(1c) D램 생산 라인을 신설하겠다고 밝혔다. ⓒ삼성전자

6일 업계에 따르면 삼성전자는 평택캠퍼스 P4에 내년 1분기까지 10나노 6세대(1c) D램 생산 라인을 새롭게 만겠다는 전략을 세웠다. 해당 라인은 월 10만~12만 장의 웨이퍼를 생산할 수 있는 규모로 전해졌다.

1c D램은 HBM4에 탑재되는 D램으로, HBM4에는 총 12개의 1c D램이 켜켜이 쌓인다. 삼성전자는 이달 중으로 HBM4를 양산해 엔비디아, AMD 등 글로벌 빅테크에 공급할 계획을 세우고 있다.

이번 투자는 엔비디아 등 빅테크들이 HBM4 수요를 대거 늘려 메모리 가격이 천정부지로 치솟은 가운데 단행됐다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올해 1분기 메모리 가격은 전 분기 대비 80~90% 오를 것으로 전망된다. AI가 몰고온 메모리 슈퍼사이클 속에서 삼성전자는 빠르게 생산능력(캐파) 늘려 수요 급증에 대응할 전략을 세운 것으로 보인다.

삼성전자는 월 66만 장의 D램 웨이퍼를 생산할 수 있는 라인을 보유하고 있는 것으로 알려졌다. 이번 생산 라인 투자가 완료될 경우 1년 만에 최대 18%의 D램 캐파를 확대하는 셈이다.

삼성전자는 직전 모델인 5세대 ‘HBM3E’에서 경쟁사인 SK하이닉스에 시장 주도권을 내줬지만, HBM4에서는 격차를 좁혀가고 있다. 양사는 최근 엔비디아 등 빅테크에 공급할 HBM4 대량 양산에 돌입하는 등 본격적 경쟁에 나서고 있다.

삼성전자는 지난해 4분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 “올해 캐펙스(설비투자)는 전년 대비 상당 수준 증가할 것”이라며 “고성능 고용량 제품 확보가 필수인 AI 응용 시장의 기술적 니즈를 실현하기 위해 올해 D램은 1c 나노를 중심으로 선단 공정 캐파 확보를 가속해 나갈 예정”이라고 말한 바 있다.

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